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Samsung lance un module de RAM DDR5 de 512 Go


Samsung a divulgation un nouveau module RAM montre le potentiel de Mémoire DDR5 en termes de vitesse et de capacité. Samsung affirme qu’un module DDR5 de 512 Go est le premier à utiliser la technologie High-K Metal Gate (HKMG), offrant des vitesses de 7200 Mbps, soit plus du double de la DDR4. Pour l’instant, il vise les fonctions de supercalcul, d’intelligence artificielle et d’apprentissage automatique gourmandes en données, mais la DDR5 finira par trouver son chemin dans les PC ordinaires, stimulant les jeux et autres applications.

Samsung a utilisé pour la première fois la technologie HKMG en 2018 avec la puce GDDR6 utilisée dans le GPU. Développé par Intel, il utilise du hafnium au lieu du silicium, le métal remplaçant les électrodes de grille normales en polysilicium. Tout cela permet une densité de puce plus élevée, tout en réduisant les fuites de courant.

Chaque puce utilise huit couches de puces DRAM de 16 Go pour des capacités de 128 Go ou 16 Go. En tant que tel, Samsung en aura besoin de 32 pour créer un module de RAM de 512 Go. En plus de la vitesse et de la capacité plus élevées, Samsung affirme que cette puce utilise 13% moins d’énergie que les modules non HKMG – idéal pour les centres de données, mais pas trop mal pour un PC non plus. Généralement, commun, normal.

Avec une vitesse de 7 200 Mbps, le dernier module de Samsung offrira un taux de transfert d’environ 57,6 Go / s sur un seul canal. Dans le communiqué de presse de Samsung, Intel a indiqué que cette mémoire sera compatible avec le processeur évolutif Xeon de nouvelle génération «Sapphire Rapids». Cette architecture en utilisera un Contrôleur de mémoire DDR5 à huit canaux, nous pouvons donc voir des configurations de mémoire de plusieurs téraoctets avec des vitesses de transfert de mémoire aussi élevées que 460 Go / s. Pendant ce temps, les premiers PC grand public pourraient faire leurs débuts en 2022 lorsque AMD annonce Plateforme Zen 4, C’est rumeur pour prendre en charge la DDR5.



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